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近年來,手機快充的普及給人們工作和生活帶來了極大的方便,隨著快充技術(shù)的迅速發(fā)展,更快速度、更小體積的充電器逐漸成為人們的一種新需求,而對于各大充電器廠商來說,大功率、高效率、小體積、安全穩(wěn)定的高功率密度快充方案將成為這場戰(zhàn)役中的制勝關(guān)鍵。在傳統(tǒng)以及準諧振反激形式應(yīng)用中,由于MOS導(dǎo)通時的電壓較高(基本都在150V以上),特別是高壓的輸入條件下,會有較高的開關(guān)損耗及DI/Dt造成的EMI干擾,影響系統(tǒng)效率及EMI特性。直到ZVS反激式快充方案的出現(xiàn),很好的解決了這些痛點。為了適應(yīng)快充市場發(fā)展新需求,亞成微通過不斷研究改進,成功推出了ZVS反激式架構(gòu)的開關(guān)電源控制芯片RM6801X...
強制ZVS反激式電源控制芯片RM6801X
產(chǎn)品DEMO(尺寸:55mm×30mm×25mm)
能效測試
待機功耗
ZVS高低壓補償及實測波形