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新聞資訊

醫(yī)院呼叫系統(tǒng)廠家 ZVS反激電源控制芯片RM6801SN

2023-10-21 10:49

近年來,手機快充的普及給人們工作和生活帶來了極大的方便,隨著快充技術(shù)的迅速發(fā)展,更快速度、更小體積的充電器逐漸成為人們的一種新需求,而對于各大充電器廠商來說,大功率、高效率、小體積、安全穩(wěn)定的高功率密度快充方案將成為這場戰(zhàn)役中的制勝關(guān)鍵。在傳統(tǒng)以及準諧振反激形式應(yīng)用中,由于MOS導(dǎo)通時的電壓較高(基本都在150V以上),特別是高壓的輸入條件下,會有較高的開關(guān)損耗及DI/Dt造成的EMI干擾,影響系統(tǒng)效率及EMI特性。直到ZVS反激式快充方案的出現(xiàn),很好的解決了這些痛點。為了適應(yīng)快充市場發(fā)展新需求,亞成微通過不斷研究改進,成功推出了ZVS反激式架構(gòu)的開關(guān)電源控制芯片RM6801X...

強制ZVS反激式電源控制芯片RM6801X

高效率、大功率

■專有ZVS技術(shù)降低MOSFET開關(guān)損耗,改善EMI特性;
■支持CCM/QR混合模式;
■支持最大140KHz工作頻率;
■兼顧E-Mode GaN FET及超結(jié)MOSFET(COOLMOS)驅(qū)動設(shè)計,可直接驅(qū)動E-Mode GaN功率器件,省去外置驅(qū)動器件。

超低待機功耗

■ 內(nèi)置700V高壓啟動;
■ 集成X-CAP放電功能;
■ 低啟動電流(2uA),低工作電流;
■ 待機功耗<65mW。

優(yōu)異的性能

■ 內(nèi)置特有抖頻技術(shù)改善EMI;
■ Burst Mode去噪音;
■ 集成斜坡補償及ZVS高低壓補償功能;
■ 集成AC輸入Brown out/in功能;
■ 外置OVP保護,具有輸出肖特基短路保護/CS短路保護;
■ 內(nèi)置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多種保護。 原理圖

產(chǎn)品DEMO(尺寸:55mm×30mm×25mm)

能效測試

待機功耗

ZVS高低壓補償及實測波形


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