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半導(dǎo)體光電導(dǎo)型探測器件,即光電導(dǎo)效應(yīng)的器件(PC器件),它利用硅、錯等本征半導(dǎo)體與雜質(zhì)半導(dǎo)體,可制成電導(dǎo)率隨入射光變化的器件,稱為光電導(dǎo)效應(yīng)器件或光敏電阻。
光電導(dǎo)型探測器件的結(jié)構(gòu)及原理 1.光敏電阻基本結(jié)構(gòu)光敏電阻是在絕緣材料上裝梳狀等光電導(dǎo)體封閉在金屬或塑料外殼內(nèi),再在兩端連上歐姆接觸的電極而成的。為避免外部干擾,入射窗口裝有透明保護窗,使起特殊濾光作用(對所需光譜透明)。目前光敏電阻,一般釆用%較大的材料,如金屬的硫化物和硒化物等,使得在室溫下能獲得較大的暗電阻(無光照時的電阻);采用N型材料,因伽>個,這樣增益也就大些。
由光電導(dǎo)效應(yīng)可知,光敏電阻的光電導(dǎo)靈敏度與光敏電阻兩極間距離/的平方成反比,為了提高光敏電阻的光電導(dǎo)靈敏度,就要盡可能縮短光敏電阻兩極間的距離L根據(jù)光敏電阻這一設(shè)計原則,可以設(shè)計出如圖3-3所示的三種光敏電阻基本結(jié)構(gòu)。圖3-3(a)所示的光敏面為梳形結(jié)構(gòu),兩個梳形電極之間為光敏電阻材料。由于兩個梳形電極靠得很近,電極間距很小,因而光敏電阻的靈敏度很高;圖3-3(b)所示的光敏面為蛇形結(jié)構(gòu),其電極間距(為蛇形光電材料的寬度)也很小,從而也提高了靈敏度;圖3-3(c)所示為刻線式結(jié)構(gòu)的光敏電阻側(cè)向圖,它在制備好的光敏電阻襯基上刻岀狹窄的光敏材料條,然后蒸涂金屬電極,從而構(gòu)成刻線式結(jié)構(gòu)的光敏電阻。因此,在均勻的具有光導(dǎo)效應(yīng)的半導(dǎo)體材料兩端加上電極,便構(gòu)成光敏電阻。
圖3-3 光敏電阻結(jié)構(gòu)示意圖
2.光敏電阻的原理光敏電阻的原理及電路的符號如圖3-4所示。當(dāng)圖中光敏電阻的兩端加上適當(dāng)?shù)钠秒妷篣bb后,便有電流Ip流過。改變照射到光敏電阻上的光照度,流過光敏電阻的電流Ip將發(fā)生變化,說明光敏電阻的阻值隨照度變化。一般有光照時的光敏電阻的阻值稱為亮電阻。此時可得出光電導(dǎo)g與光電流/p的表達(dá)式為
g=gL-gd;/p=/L-/d ( 3-22)
式中,gL為亮電導(dǎo);gd為暗電導(dǎo):IL為亮電流;/d為暗電流。
圖3-4 光敏電阻的原理與光敏電阻的符號
根據(jù)半導(dǎo)體材料的分類,光敏電阻有兩大基本類型——本征型與雜質(zhì)型。由于本征型半導(dǎo)體光敏電阻的長波限要短于雜質(zhì)型的長波限,因此本征型半導(dǎo)體光敏電阻常用于可見光波段的探測;而雜質(zhì)型半導(dǎo)體光敏電阻常用于紅外波段甚至于遠(yuǎn)紅外波段輻射的探測。
3.光敏電阻的特點(1)CdS(Se)光敏電阻。這一種光敏電阻是使用最廣泛的,它們的光敏面為圖3-3(b)所示的蛇形光敏面結(jié)構(gòu)。CdS光敏電阻的光譜響應(yīng)特性最接近人眼視見函數(shù),線性度與溫度特性較好,但響應(yīng)速度慢,時間常數(shù)為0.1s,被廣泛地應(yīng)用于燈光的自動控制及照相機的自動測光等;CdSe光敏電阻的響應(yīng)與白熾燈或氤燈等光源的光輸出有良好的匹配,其響應(yīng)速度快,時間常數(shù)0.01s,但線性度與溫度特性不太好,常作為光電開關(guān)使用。
CdS光敏電阻的峰值響應(yīng)波長為0.52μm,CdSe光敏電阻為0.72μm,通過調(diào)整S和Se的比例,可使Cd(S,Se)光敏電阻的峰值響應(yīng)波長控制在0.52?0.72μm。
(2)PbS光敏電阻。即近紅外波段最靈敏的光電導(dǎo)器件,其光電導(dǎo)的厚度為μm量級的多晶薄膜或單晶硅薄膜。由于PbS在2μm附近的紅外輻射的探測靈敏度很高,因而常用于火災(zāi)等領(lǐng)域的探測。PbS的光譜響應(yīng)及探測率等特性與工作溫度有關(guān),隨著溫度的降低其峰值響應(yīng)波長向長波長方向延伸,且比探測率增加。如室溫下的PbS光敏電阻的光譜響應(yīng)范圍為