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光檢測器是把光信號變?yōu)殡娦盘柕钠骷捎趶墓饫w中傳輸過來的光信號一般是非常微弱且產生了畸變的信號，因此光纖通信系統(tǒng)對光檢測器提出了非常高的要求：
• 在系統(tǒng)的工作波長上要有足夠高的響應度，即對一定的入射光功率，光檢測器能輸出盡可能大的光電流；
• 有足夠高的響應速度和足夠的工作帶寬，即對高速光脈沖信號有足夠的快的響應能力；
• 產生的附加噪聲小；
• 光電轉換線性好，保真度高；
• 工作穩(wěn)定可靠，工作壽命長；
• 體積小，使用簡便。
目前，滿足上述要求、適合于光纖通信系統(tǒng)使用的光檢測器主要有半導體PIN光電二極管、雪崩光電二極管（APD）、光電晶體管等。其中，前兩種應用最為廣泛。
1.PIN光電二極管
（1）基本原理和結構
受激吸收是半導體光檢測器的基本工作原理。
半導體光檢測器的核心是PN結的光電效應，工作在反向偏壓下的PN結光電二極管是最簡單的半導體光檢測器。
當PN結上加有反向偏壓時（P區(qū)加負，N區(qū)加正），外加電場的方向和空間電荷區(qū)里電場的方向相同，外電場使勢壘加強，PN結的能帶如圖26所示。由于光電二極管加有反向偏壓，因此空間電荷區(qū)里載流子基本上耗盡了，這個區(qū)域稱為耗盡區(qū)。
當光束入射到PN結上，且光子能量Hu大于半導體材料的禁帶寬度Eg時，價帶上的電子可以吸收光子躍遷到導帶，結果產生一個電子一空穴對。如果光生電子一空穴對在耗盡區(qū)里產生，那么在電場的作用下，電子將向N區(qū)漂移，空穴將向P區(qū)漂移，從而形成光生電流。
為了得到高量子效率、提高響應速度，器件一般采用PIN結構。它是在高摻雜P型和N性半導體材料之間生長一層本征半導體材料或低摻雜半導體材料，稱為1層。高摻雜的P區(qū)和N區(qū)非常薄。如圖27所示。這種結構使得光子在耗盡區(qū)內能夠被充分吸收，以利于提量子效率和響應速度。對于InGaAs材料制作的光電二極管，還往往釆用異質結構,從而進一步提高器件的量子效率。
圖 26 PN結的能帶 圖27 PIN光電二極管
(2)PIN光電二極管的特性
PIN光電二極管的主要特性包括響應度、量子效率、響應速度等。
①波長響應范圍
從光電二極管的工作原理可以知道，當光子能量人，大于半導體材料的禁帶寬度才能產生光電效應。這一條件限制了光電二極管使用的上限波長人，有
